Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 2. NPT Trench Technology, Positive Temperature Coefficient. IC = A and TC = 25°C. Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 2. БТИЗ обеспечивает превосходную проводимость, коммутационные характеристики, высокую лавинную надежность и простоту параллельной работы. Это устройство хорошо подходит .

Stok, Stok Talebi Oluştur. Parameters and Characteristics. FGA25N120ANTD Transistor Datasheet, FGA25N120ANTD Equivalent, PDF Data Sheets. Electronic Component Catalog. Описание данного товара отсутствует.

Кемерово, пр. Кузнецкий, дом 5 1. Покупка: Количество: шт. Нажми на картинку, чтобы увеличить ее.

Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия. Shop with confidence on eBay! Особенностью транзистора является устойчивость к лавинному нарастанию мощности. Транзистор выдерживает 4мДж лавинной мощности, что позволяет обеспечить безопасную работу в . Тип транзистора DIGB Полярность N Канал Постоянный ток коллектора 50A Рассеиваемая мощность Pd 312W Напряженеи коллетор эмиттер V(br)ceo 1. Рабочая температура -55°C 150°C Корпус TO-3.

This device is well suited for the resonant or soft . IGBT offers superior conduction, switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. Once you know, you Newegg! Váš dodavatel elektronických součástek! Radiokomunikace – stavby na klíč. Síť prodejen po celé ČR a mezinárodní e-shop.

Typ tranzystora, IGBT Kanał N. Obudowa, TO247AD (TO3P). Właściwości półprzewodników, nie dotyczy. Montaż, przewlekany (THT). Producent, Fairchild Semiconductor.

Opakowanie, nieokreślone. Free delivery and returns on eligible orders.